产品名称

中文名称:HQ 3R相二硫化钼晶体

英文名称：HQ 3R-MoS2 (Molybdenum Disulfide)

产品概述

二硫化钼（3R相）是一种带隙可调的半导体，体带隙为0.80 (0.86)eV，单层带隙为1.81 (1.66)eV。该晶体是自然形成的，具有良好的热力学稳定性。3R相的二硫化钼用于光子学、光电子学和催化等领域，这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。二硫化钼属于第六族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:~6-8 mm

产品特点

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Trigonal

Type：Natural

应用领域

电子器件：3R-MoS2具有半导体特性，其电导率受温度、掺杂和缺陷等多种因素影响。这使得它在电子器件的制备中具有潜在的应用价值。例如，可以制备出具有特定功能的电子器件，如场效应晶体管（FETs）、光电探测器等。

光催化：

其光催化性能也使其在光催化领域具有应用潜力，可用于环境净化、水处理等方面。

太阳能电池：

理论上利用3R-MoS2的光吸收特性，可以开发高效、低成本的太阳能电池，提高太阳能的转换效率。

催化剂：

3R-MoS2具有良好的化学稳定性和热稳定性，在高温、高压或腐蚀性环境中仍能保持良好的性能。因此，它被广泛用作催化剂的组成部分，用于促进各种化学反应的进行。

润滑剂：

二硫化钼（包括3R相）因其层状结构而具有较低的摩擦系数，被广泛应用于固体润滑领域。通过添加3R-MoS2作为润滑剂成分，可以显著改善机械设备的摩擦性能，延长使用寿命。

防腐涂层：

3R-MoS2的耐腐蚀性也使其成为一种理想的防腐涂层材料，可用于保护金属表面免受腐蚀和磨损。

其他信息
如您想了解更多产品详情，可拨打电话400-025-3200，您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询

原链接：https://www.hqgraphene.com/3R-MoS2.php